2N6796
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| Teilenummer | 2N6796 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | 2N6796 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5753 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-39 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5A, 10V | Verlustleistung (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | TO-205AF Metal Can |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.34nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
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