2N5013S
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| Teilenummer | 2N5013S |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | TRANSISTOR NPN TO-39 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | 2N5013S | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANSISTOR NPN TO-39 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5095 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 800V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 20mA | Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-39 (TO-205AD) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/727 |
| Leistung - max | 1W | Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Not Applicable | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 20mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
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