2N4449UB
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| Teilenummer | 2N4449UB |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | NPN TRANSISTOR |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.71 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 2N4449UB | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | NPN TRANSISTOR | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 3489 pcs | Datenblatt | 2N2369A, 2N4449 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA | Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | UB | Serie | Military, MIL-PRF-19500/317 |
| Leistung - max | 360mW | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | - | Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 360mW Surface Mount UB |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 100mA, 1V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 400nA |
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