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Teilenummer 1N6663US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 5074 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
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$8.602$7.958$6.796

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Product parameter

Teilenummer 1N6663US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 5074 pcs Datenblatt 1N6663US thru 1N6663US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 400mA
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V Supplier Device-Gehäuse D-5A
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, A
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 500mA (DC) Surface Mount D-5A Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50nA @ 600V
Strom - Richt (Io) 500mA (DC) Kapazität @ Vr, F -

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