1N649-1
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| Teilenummer | 1N649-1 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.624 | $1.449 | $1.188 | $0.962 | $0.811 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N649-1 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 38051 pcs | Datenblatt | 1N649-1 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V | Supplier Device-Gehäuse | DO-35 |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diodentyp | Standard | detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50nA @ 600V | Strom - Richt (Io) | 400mA |
| Kapazität @ Vr, F | - |
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