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Teilenummer 1N5821US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 5652 pcs
Referenzpreis
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$5.549

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Product parameter

Teilenummer 1N5821US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 5652 pcs Datenblatt 1N5820US-1N5822,1N6864US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30V Supplier Device-Gehäuse B, SQ-MELF
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, B
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Schottky detaillierte Beschreibung Diode Schottky 30V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100µA @ 30V Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F -

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  • Beschreibung:DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
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