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Teilenummer 1N5550US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 7748 pcs
Referenzpreis
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$4.111

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Product parameter

Teilenummer 1N5550US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 3A D5B Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 7748 pcs Datenblatt 1N5550US thru 1N5554US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V Supplier Device-Gehäuse D-5B
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2µs Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, B Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1µA @ 200V Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F -

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