1N5415
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| Teilenummer | 1N5415 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 132 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.503 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N5415 | Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 12348 pcs | Datenblatt | 1N5415 - 20 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Spitzensperr- (max) | Standard |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 3A | Serie | - |
| RoHS Status | Bulk | Rückwärts-Erholzeit (Trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Widerstand @ If, F | - | Polarisation | B, Axial |
| Betriebstemperatur - Anschluss | 150ns | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | 1N5415 | Expanded Beschreibung | Diode Standard 50V 3A Through Hole |
| Diodenkonfiguration | 1µA @ 50V | Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1.5V @ 9A | Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 50V |
| Kapazität @ Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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