1N3600
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| Teilenummer | 1N3600 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 893 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.331 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N3600 | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 71925 pcs | Datenblatt | 1N3600 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50V | Supplier Device-Gehäuse | DO-35 |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 4ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | DO-204AH, DO-35, Axial | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diodentyp | Standard | detaillierte Beschreibung | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100nA @ 50V | Strom - Richt (Io) | 200mA |
| Kapazität @ Vr, F | - |
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