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NAND512R3A2SN6E

NAND512R3A2SN6E
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Teilenummer NAND512R3A2SN6E
Hersteller Micron Technology
Beschreibung IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 5322 pcs
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Teilenummer NAND512R3A2SN6E Hersteller Micron Technology
Beschreibung IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5322 pcs Datenblatt NAND512(R,W)(3,4)A2S
Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS) Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 50ns
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.95 V Technologie FLASH - NAND
Supplier Device-Gehäuse 48-TSOP Serie -
Verpackung Tray Verpackung / Gehäuse 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours) Speichertyp Non-Volatile
Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat FLASH Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 48-TSOP Zugriffszeit 50ns

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