CSD25211W1015
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| Teilenummer | CSD25211W1015 |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 3000 pcs | 6000 pcs | 15000 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.077 | $0.072 | $0.067 | |||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD25211W1015 | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 327563 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-DSBGA (1x1.5) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 6-UFBGA, DSBGA |
| Andere Namen | 296-36578-2 CSD25211W1015-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A (Ta) |
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