CSD19536KTTT
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| Teilenummer | CSD19536KTTT |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 50 pcs | 100 pcs | 250 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.748 | $1.593 | $1.438 | |||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD19536KTTT | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 21903 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DDPAK/TO-263-3 | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V | Verlustleistung (max) | 375W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Andere Namen | 296-41136-2 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 2 (1 Year) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 35 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Ta) |
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