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CSD17312Q5

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Teilenummer CSD17312Q5
Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS-konform
In Stock 70428 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
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Teilenummer CSD17312Q5 Hersteller N/A
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 70428 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) +10V, -8V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6) Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 35A, 8V Verlustleistung (max) 3.2W (Ta)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen 296-27613-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 35 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5240pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 38A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Ta), 100A (Tc)

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