VT6Z2T2R
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| Teilenummer | VT6Z2T2R |
|---|---|
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.032 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | VT6Z2T2R | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 713895 pcs | Datenblatt | VT6Z2VMT6 T2R Taping Spec |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA | Transistor-Typ | NPN, PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | VMT6 | Serie | - |
| Leistung - max | 150mW | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-SMD | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 350MHz | detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 6V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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