SH8M2TB1
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| Teilenummer | SH8M2TB1 |
|---|---|
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.371 | $0.325 | $0.251 | $0.186 | $0.149 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | SH8M2TB1 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 139763 pcs | Datenblatt | SH8M2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 3.5A, 10V | Leistung - max | 2W |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | SH8M2TB1CT | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V | Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A |
| Basisteilenummer | *M2 |
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