RGTV00TS65DGC11
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| Teilenummer | RGTV00TS65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.547 | $2.273 | $2.045 | $1.864 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $1.682 | $1.509 | $1.273 | |||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | RGTV00TS65DGC11 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 30727 pcs | Datenblatt | RGTV00TS65D |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | Testbedingung | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 41ns/142ns | Schaltenergie | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 102ns | Leistung - max | 276W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 | Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 15 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard | IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 104nC | detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Field Stop 650V 95A 276W Through Hole TO-247N |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 95A |
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