RCX120N20
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| Teilenummer | RCX120N20 |
|---|---|
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.379 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | RCX120N20 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220FM | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 87429 pcs | Datenblatt | RCX120N20 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325 mOhm @ 6A, 10V | Verlustleistung (max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 200V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
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