R6076ENZ1C9
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| Teilenummer | R6076ENZ1C9 |
|---|---|
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 76A TO247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.285 | $3.856 | $3.171 | $2.656 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | R6076ENZ1C9 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 76A TO247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 13974 pcs | Datenblatt | R6076ENZ1 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 44.4A, 10V | Verlustleistung (max) | 120W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 76A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 76A (Tc) |
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