R6020ENZ1C9
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| Teilenummer | R6020ENZ1C9 |
|---|---|
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.447 | $1.291 | $1.162 | $1.059 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | 2500 pcs | ||
| $0.956 | $0.857 | $0.723 | $0.687 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | R6020ENZ1C9 | Hersteller | Rohm Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 47563 pcs | Datenblatt | R6020ENZ1 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Prüfung | 1400pF @ 25V |
| Spannung - Durchschlag | TO-247 | VGS (th) (Max) @ Id | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - | RoHS Status | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20A (Tc) | Polarisation | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | R6020ENZ1C9 | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60nC @ 10V |
| IGBT-Typ | ±20V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 1mA |
| FET-Merkmal | N-Channel | Expanded Beschreibung | N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 600V | Kapazitätsverhältnis | 120W (Tc) |
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