IMB7AT108
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| Teilenummer | IMB7AT108 |
|---|---|
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.047 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | IMB7AT108 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 472450 pcs | Datenblatt | IMB7A |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-457 | Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - | Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Leistung - max | 300mW | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-457 | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-457 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 1mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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