EMX1FHAT2R
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| Teilenummer | EMX1FHAT2R |
|---|---|
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.021 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EMX1FHAT2R | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 1217155 pcs | Datenblatt | EMT6 T2R Taping SpecEMX1FHA |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Leistung - max | 150mW | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 | Andere Namen | EMX1FHAT2RTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 180MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 150mA |
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