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2SCR372P5T100R

2SCR372P5T100R
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Teilenummer 2SCR372P5T100R
Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 161202 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs25 pcs
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100 pcs250 pcs500 pcs
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Product parameter

Teilenummer 2SCR372P5T100R Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 161202 pcs Datenblatt 2SCR372P5
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 500mA Transistor-Typ NPN
Supplier Device-Gehäuse MPT3 Serie -
Leistung - max 500mW Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-243AA Andere Namen 2SCR372P5T100RDKR
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 220MHz
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 700mA 220MHz 500mW Surface Mount MPT3 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 700mA

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