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IPD90N06S407ATMA1

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Teilenummer IPD90N06S407ATMA1
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 158081 pcs
Referenzpreis
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$0.141

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Product parameter

Teilenummer IPD90N06S407ATMA1 Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 158081 pcs Datenblatt IPD90N06S4-07
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 40µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Serie OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9 mOhm @ 90A, 10V Verlustleistung (max) 79W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen IPD90N06S4-07
IPD90N06S4-07-ND
IPD90N06S407ATMA1TR
SP000415586		 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)

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