IXDF602SIATR
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| Teilenummer | IXDF602SIATR |
|---|---|
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Beschreibung | 2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.198 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | IXDF602SIATR | Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | 2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 118105 pcs | Datenblatt | IXDx602 |
| Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) | Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 35 V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC | Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 7.5ns, 6.5ns | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting | Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side | detaillierte Beschreibung | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2A, 2A | Ladestrom | Independent |
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