IXFP8N50PM
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| Teilenummer | IXFP8N50PM |
|---|---|
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.789 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | IXFP8N50PM | Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 50075 pcs | Datenblatt | IXFP8N50PM |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB | Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 4A, 10V | Verlustleistung (max) | 42W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 4.4A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Tc) |
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