IXFP12N65X2
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| Teilenummer | IXFP12N65X2 |
|---|---|
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Bleifreier Status / RoHS Status |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.942 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | IXFP12N65X2 | Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH | Bleifreier Status / RoHS Status | |
| Verfügbare Menge | 34743 pcs | Datenblatt | IXF(A,P,H)12N65X2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB | Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 6A, 10V | Verlustleistung (max) | 180W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 24 Weeks |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1134pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
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