IXFN80N50Q3
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| Teilenummer | IXFN80N50Q3 |
|---|---|
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $16.07 | $14.865 | $12.695 | |||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | IXFN80N50Q3 | Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 2592 pcs | Datenblatt | IXFN80N50Q3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B | Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 40A, 10V | Verlustleistung (max) | 780W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 24 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 63A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 63A (Tc) |
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