1N8035-GA
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| Teilenummer | 1N8035-GA |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $77.767 | $74.012 | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N8035-GA | Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 429 pcs | Datenblatt | 1N8035-GA |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650V | Supplier Device-Gehäuse | TO-276 |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0ns | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-276AA | Andere Namen | 1242-1122 1N8035GA |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 250°C | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| detaillierte Beschreibung | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276 | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 650V |
| Strom - Richt (Io) | 14.6A (DC) | Kapazität @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Basisteilenummer | 1N8035 |
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