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EPC2037ENGR

EPC2037ENGR
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Teilenummer EPC2037ENGR
Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 100V BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 87045 pcs
Referenzpreis
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$0.219

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Product parameter

Teilenummer EPC2037ENGR Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 100V BUMPED DIE Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 87045 pcs Datenblatt EPC2037 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 80µA
Vgs (Max) +6V, -4V Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse Die Serie eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 100mA, 5V Verlustleistung (max) -
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse Die
Andere Namen 917-EPC2037ENGRTR Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.5pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.12nC @ 5V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V detaillierte Beschreibung N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta)

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