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EPC2025ENGR

EPC2025ENGR
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Teilenummer EPC2025ENGR
Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 5433 pcs
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Teilenummer EPC2025ENGR Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5433 pcs Datenblatt
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) +6V, -4V Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse Die Outline (12-Solder Bar) Serie eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V Verlustleistung (max) -
Verpackung Tray Verpackung / Gehäuse Die
Andere Namen 917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 194pF @ 240V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.85nC @ 5V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300V detaillierte Beschreibung N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)

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