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EPC2021

EPC2021
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Teilenummer EPC2021
Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 16588 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
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Product parameter

Teilenummer EPC2021 Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 16588 pcs Datenblatt EPC2021 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA
Vgs (Max) +6V, -4V Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse Die Serie eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Verlustleistung (max) -
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse Die
Andere Namen 917-1089-6 Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 40V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
detaillierte Beschreibung N-Channel 80V 90A (Ta) Surface Mount Die Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Ta)

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