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EPC2014C

EPC2014C
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Teilenummer EPC2014C
Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 74919 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
$0.661$0.586$0.529$0.463
250 pcs500 pcs1000 pcs 
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Product parameter

Teilenummer EPC2014C Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 74919 pcs Datenblatt EPC2014C
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Vgs (Max) +6V, -4V Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse Die Outline (5-Solder Bar) Serie eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 5V Verlustleistung (max) -
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse Die
Andere Namen 917-1082-6 Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 10A (Ta) Surface Mount Die Outline (5-Solder Bar) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)

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