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ZXTDC3M832TA

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Teilenummer ZXTDC3M832TA
Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 138848 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer ZXTDC3M832TA Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 138848 pcs Datenblatt ZXTDC3M832TA
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V, 40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Transistor-Typ NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3x2) Serie -
Leistung - max 1W Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad Andere Namen ZXTDC3M832TATR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 165MHz, 190MHz detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 40V 4A, 3A 165MHz, 190MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Strom - Collector Cutoff (Max) 25nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4A, 3A Basisteilenummer ZXTDC3M832

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