ZXMN10A25K
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| Teilenummer | ZXMN10A25K |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.166 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | ZXMN10A25K | Hersteller | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 142144 pcs | Datenblatt | ZXMN10A25K |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252-3 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.9A, 10V | Verlustleistung (max) | 2.11W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 859pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.16nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.2A (Ta) |
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