DMTH6010LPD-13

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| Teilenummer | DMTH6010LPD-13 |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.211 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | DMTH6010LPD-13 | Hersteller | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 104862 pcs | Datenblatt | DMTH6010LPD |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerDI5060-8 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V | Leistung - max | 2.8W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | DMTH6010LPD-13DITR | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2615pF @ 30V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) |
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