DMHC3025LSDQ-13
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| Teilenummer | DMHC3025LSDQ-13 |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.147 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | DMHC3025LSDQ-13 | Hersteller | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 147006 pcs | Datenblatt | DMHC3025LSDQ-13~ |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5A, 10V | Leistung - max | 1.5W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | DMHC3025LSDQ-13DITR | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 10V | Typ FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A, 4.2A |
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