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CDBJSC5650-G

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Teilenummer CDBJSC5650-G
Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 76752 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer CDBJSC5650-G Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 76752 pcs Datenblatt CDBJSC5650-G
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650V Supplier Device-Gehäuse TO-220F
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns Verpackung / Gehäuse TO-220-2 Full Pack
Andere Namen 641-1940 Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Silicon Carbide Schottky detaillierte Beschreibung Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A (DC) Through Hole TO-220F
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100µA @ 650V Strom - Richt (Io) 5A (DC)
Kapazität @ Vr, F 430pF @ 0V, 1MHz

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