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1N5408-G

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Teilenummer 1N5408-G
Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 553375 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
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Teilenummer 1N5408-G Hersteller Comchip Technology
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 553375 pcs Datenblatt 1N5400-08-G
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000V Supplier Device-Gehäuse DO-27 (DO-201AD)
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse DO-201AD, Axial
Andere Namen 641-1316-1 Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-27 (DO-201AD)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 1000V Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F - Basisteilenummer 1N5408

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