ALD212908APAL
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| Teilenummer | ALD212908APAL |
|---|---|
| Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.382 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | ALD212908APAL | Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 26591 pcs | Datenblatt | ALD212908 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PDIP | Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 10.6V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80mA |
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