ALD114835PCL
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| Teilenummer | ALD114835PCL |
|---|---|
| Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.52 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | ALD114835PCL | Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 24545 pcs | Datenblatt | ALD114835,935 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.45V @ 1µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 16-PDIP | Serie | EPAD® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 Ohm @ 0V | Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Andere Namen | 1014-1059 | Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Typ FET | 4 N-Channel, Matched Pair | FET-Merkmal | Depletion Mode |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 10.6V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12mA, 3mA |
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