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H11D1SR2M

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Teilenummer H11D1SR2M
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 95203 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer H11D1SR2M Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 95203 pcs Datenblatt H11D1M-3M, 4N38M, MOC8204M
Kategorie Isolatoren Spannung - Ausgabe (max) 300V
Spannung - Isolation 4170Vrms Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V
VCE Sätttigung (max) 400mV Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 5µs, 5µs
Supplier Device-Gehäuse 6-SMD Serie -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) - Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Gull Wing Ausgabetyp Transistor with Base
Andere Namen H11D1SR2MCT Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle 1 Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 9 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabetyp DC
detaillierte Beschreibung Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max) - Strom - Ausgang / Kanal 100mA
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 80mA

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