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FJNS3209RBU

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Teilenummer FJNS3209RBU
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 6002 pcs
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Teilenummer FJNS3209RBU Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 6002 pcs Datenblatt FJNS3209R
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse TO-92S Serie -
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

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