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FJN4312RBU

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Teilenummer FJN4312RBU
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 6030 pcs
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Teilenummer FJN4312RBU Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 6030 pcs Datenblatt FJN4312R
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 Serie -
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 200MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

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