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FGA40T65SHDF

FGA40T65SHDF
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Teilenummer FGA40T65SHDF
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 43752 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs450 pcs900 pcs1350 pcs
$1.598$1.437$1.117$1.002$0.845

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Teilenummer FGA40T65SHDF Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung IGBT 650V 80A 268W TO-3PN Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 43752 pcs Datenblatt FGA40T65SHDF
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.81V @ 15V, 40A Testbedingung 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 18ns/64ns Schaltenergie 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 101ns Leistung - max 268W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 68nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A Strom - Kollektor (Ic) (max) 80A

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