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FDMS8320L

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Teilenummer FDMS8320L
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 36A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 55881 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer FDMS8320L Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 36A 8-PQFN Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 55881 pcs Datenblatt FDMS8320L
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 32A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen FDMS8320L-ND
FDMS8320LTR		 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 27 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11110pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 36A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta), 100A (Tc)

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