FDI8442
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| Teilenummer | FDI8442 |
|---|---|
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | FDI8442 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5634 pcs | Datenblatt | FDI8442 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) | Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V | Verlustleistung (max) | 254W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12200pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 40V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A (Ta), 80A (Tc) |
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