2N6849U
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| Teilenummer | 2N6849U |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 18-LCC |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 2N6849U | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 18-LCC | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 4390 pcs | Datenblatt | 2N6849U |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 18-ULCC (9.14x7.49) | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 4.1A, 10V | Verlustleistung (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | 18-CLCC |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | detaillierte Beschreibung | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.5A (Tc) |
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