IXFT6N100F
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| Teilenummer | IXFT6N100F |
|---|---|
| Hersteller | IXYS RF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.077 | $3.343 | $3.016 | $2.527 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | IXFT6N100F | Hersteller | IXYS RF |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 12663 pcs | Datenblatt | IXFH6N100F, IXFT6N100F |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-268 (IXFT) | Serie | HiPerRF™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V | Verlustleistung (max) | 180W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
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