FQAF22P10
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| Teilenummer | FQAF22P10 |
|---|---|
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | FQAF22P10 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 6025 pcs | Datenblatt | FQAF22P10 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF | Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 8.3A, 10V | Verlustleistung (max) | 70W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | SC-94 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Typ FET | P-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 100V 16.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16.6A (Tc) |
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